特許
J-GLOBAL ID:201103088797911117
半導体装置の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
稲岡 耕作 (外1名)
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-089166
公開番号(公開出願番号):特開2001-274319
特許番号:特許第3476186号
出願日: 2000年03月28日
公開日(公表日): 2001年10月05日
請求項(抜粋):
【請求項1】第1の半導体チップの活性面に、第2の半導体チップをその活性面を対向させて接合する工程と、接合された第1および第2の半導体チップのうちのいずれか一方の非活性面側を除去する第1除去工程と、上記接合された第1および第2の半導体チップのうちの他方の非活性面側を除去する第2除去工程と、この第2除去工程中に、上記第1および第2の半導体チップのうちの他方を側方から支持する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件):
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
FI (1件):
引用特許:
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