特許

J-GLOBAL ID：201103088990013959

半導体装置、及びその製造方法

発明者： 中嶋 幸治
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-215270
公開番号（公開出願番号）：特開2011-066184
出願日： 2009年09月17日
公開日（公表日）： 2011年03月31日
要約：

【課題】温度検出用素子による応答性のよい温度検出が可能な半導体装置、及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、半導体基板上に形成された、異常発熱を検出するための温度検出用素子であるダイオード7と、ダイオード7と半導体基板との間に形成され、半導体基板より高い熱伝導率を有する熱伝導層102と、を備えるものである。これにより、発熱部からの熱を速やかに効率よくダイオード7からなる温度検出用素子全体に均一に熱伝導させることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された、異常発熱を検出するための温度検出用素子と、 前記温度検出用素子と前記半導体基板との間に形成され、前記半導体基板より高い熱伝導率を有する熱伝導層と、を備える半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/336 ,  H01L 23/34 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06

FI (10件)：

H01L29/78 657F ,  H01L27/04 H ,  H01L29/78 657C ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658F ,  H01L23/34 D ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 653A ,  H01L27/08 102E ,  H01L27/06 102A

Fターム (24件)：

5F038AZ08 ,  5F038BH04 ,  5F038BH16 ,  5F038CA05 ,  5F038CA08 ,  5F038DT12 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA07 ,  5F048AB10 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BB05 ,  5F048BC12 ,  5F048BD07 ,  5F048BF16 ,  5F048BG02 ,  5F048CB07 ,  5F048CC06 ,  5F136DA21 ,  5F136FA01 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03 ,  5F136HA01