特許

J-GLOBAL ID：201103089102027374

高分子超薄膜および高分子超薄膜パターン、並びに、パターン形成用組成物

発明者： 川村 浩一 ,  松村 季彦 ,  高野 行央
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (2件)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-230774
公開番号（公開出願番号）：特開2011-079877
出願日： 2009年10月02日
公開日（公表日）： 2011年04月21日
要約：

【課題】本発明は、膜厚のバラツキが少なく、かつ基板との密着性に優れ、電子線や短波長の露光光などの照射露光によって十分なパターン解像度を示し、ナノメートルレベルで構造制御された高分子超薄膜およびそのパターン、並びに、高分子超薄膜パターンの形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】露光によりラジカルを発生しうる基板表面とラジカル重合性基を有する高分子とが直接結合して、前記基板表面上に形成される高分子超薄膜であって、前記ラジカル重合性基が式(1)で表されるα位置換アクリロイル基であり、膜厚が1〜10nmである高分子超薄膜。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

露光によりラジカルを発生しうる基板表面とラジカル重合性基を有する高分子とが直接結合して、前記基板表面上に形成される高分子超薄膜であって、前記ラジカル重合性基が下記式(1)で表されるα位置換アクリロイル基であり、膜厚が1〜10nmである高分子超薄膜。

IPC (2件)：

C08F 299/00 ,  C08F 4/00

FI (2件)：

C08F299/00 ,  C08F4/00

Fターム (42件)：

4J015EA03 ,  4J015EA04 ,  4J015EA05 ,  4J015EA06 ,  4J127AA01 ,  4J127AA04 ,  4J127BB041 ,  4J127BB081 ,  4J127BB141 ,  4J127BB201 ,  4J127BC031 ,  4J127BC151 ,  4J127BD021 ,  4J127BD041 ,  4J127BD061 ,  4J127BE29Y ,  4J127BE291 ,  4J127BE34X ,  4J127BE341 ,  4J127BE43X ,  4J127BE431 ,  4J127BE55X ,  4J127BE551 ,  4J127BG05X ,  4J127BG051 ,  4J127BG10Y ,  4J127BG101 ,  4J127BG17X ,  4J127BG17Y ,  4J127BG171 ,  4J127BG26X ,  4J127BG261 ,  4J127BG31X ,  4J127BG311 ,  4J127BG34X ,  4J127BG341 ,  4J127BG35X ,  4J127BG351 ,  4J127CA01 ,  4J127EA02 ,  4J127EA04 ,  4J127FA00