特許

J-GLOBAL ID：201103089103045546

容量素子及びその製造方法

発明者： 那須 徹
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (10件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-269775
公開番号（公開出願番号）：特開2011-114191
出願日： 2009年11月27日
公開日（公表日）： 2011年06月09日
要約：

【課題】リーク電流を実用レベルまで低減し且つ半導体集積回路装置の微細化を進めても十分なメモリの保持特性を保証できる電荷量を確保する。【解決手段】容量素子216は、AがAサイトを占める元素、BがBサイトを占める元素、Oが酸素原子を表すとき、一般式ABO3 により表される単純プロベスカイト型結晶構造の金属酸化物からなる容量絶縁膜214と、これを挟み込む第1の電極及び第2の電極212及び215を備える。Aサイトにはビスマスの陽イオン、Bサイトには遷移元素である第1の元素の陽イオンが配置されている。Aサイト及びBサイトの少なくとも一方は、ビスマス及び第1の元素以外の金属元素より選ばれた第2の元素の陽イオンによって一部置換されている。第2の元素の陽イオンによる置換量は、容量絶縁膜214と、第1の電極212及び第2の電極215との界面のうち少なくとも一方において最大となっている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

AがAサイトを占める元素、BがBサイトを占める元素、Oが酸素原子を表すとき、一般式ABO3 により表される単純プロベスカイト型結晶構造を持つ金属酸化物からなる容量絶縁膜と、 前記容量絶縁膜を挟み込む第1の電極及び第2の電極を備え、 前記Aサイトには、ビスマスの陽イオンが配置され、 前記Bサイトには、遷移元素より選ばれた第1の元素の陽イオンが配置され、 前記Aサイト及び前記Bサイトの少なくとも一方は、ビスマス及び前記第1の元素以外の金属元素より選ばれた第2の元素の陽イオンによって一部置換されており、 前記容量絶縁膜における前記第2の元素の陽イオンによる置換量は、前記第1の電極から前記第2の電極に向かう方向に変化しており、 前記容量絶縁膜と前記第1の電極との界面、及び、前記容量絶縁膜と前記第2の電極との界面のうち少なくとも一方において、前記第2の元素の陽イオンによる置換量が最大となっていることを特徴とする容量素子。

IPC (2件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/824

FI (1件)：

H01L27/10 444B

Fターム (8件)：

5F083FR02 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17