特許

J-GLOBAL ID：201103089113486230

支持体金属箔付き複合金属層、これを用いた配線板とその製造方法、この配線板を用いた半導体パッケージの製造方法

発明者： 田辺 浩一 ,  八木橋 敦睦 ,  田村 匡史 ,  鈴木 邦司 ,  坪松 良明
出願人/特許権者： 日本電解株式会社 ,  日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 穂高 哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-198620
公開番号（公開出願番号）：特開2011-228613
出願日： 2010年09月06日
公開日（公表日）： 2011年11月10日
要約：

【課題】配線板の製造によって生じる廃棄物を減らし、地球環境にとって好ましい支持体金属箔付き複合金属層、これを用いた配線板とその製造方法、この配線板を用いた半導体パッケージの製造方法を提供する。【解決手段】支持体金属箔である最下層金属層と2層以上の金属層とからなる複数の金属層が、隣合った金属層間に剥離層を介して積層されてなる支持体金属箔付き複合金属層であって、最下層金属層と最上層の金属層との間に位置する各金属層Aと、その上面の剥離層を介して隣接する金属層Bとの間の剥離強度が、金属層Aと、その下面の剥離層を介して隣接する金属層Cとの間の剥離強度よりも小さいことを特徴とする支持体金属箔付き複合金属層、これを用いた配線板とその製造方法、この配線板を用いた半導体パッケージの製造方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

支持体金属箔である最下層金属層と2層以上の金属層とからなる複数の金属層が、隣合った金属層間に剥離層を介して積層されてなる支持体金属箔付き複合金属層であって、最下層金属層と最上層の金属層との間に位置する各金属層Aと、その上面の剥離層を介して隣接する金属層Bとの間の剥離強度が、金属層Aと、その下面の剥離層を介して隣接する金属層Cとの間の剥離強度よりも小さいことを特徴とする支持体金属箔付き複合金属層。

IPC (3件)：

H05K 1/09 ,  H05K 3/46 ,  H01L 23/12

FI (4件)：

H05K1/09 C ,  H05K3/46 B ,  H05K3/46 Q ,  H01L23/12 N

Fターム (27件)：

4E351BB01 ,  4E351BB30 ,  4E351BB38 ,  4E351DD04 ,  4E351DD17 ,  4E351DD19 ,  4E351DD31 ,  4E351DD54 ,  4E351DD56 ,  4E351GG01 ,  4E351GG20 ,  5E346AA02 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA16 ,  5E346AA22 ,  5E346AA43 ,  5E346CC10 ,  5E346CC32 ,  5E346DD24 ,  5E346DD33 ,  5E346EE31 ,  5E346FF15 ,  5E346FF45 ,  5E346HH11 ,  5E346HH21 ,  5E346HH31