特許
J-GLOBAL ID：201103089242804842
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-320654
公開番号（公開出願番号）：特開平3-087021
特許番号：特許第3029267号
出願日： 1989年12月12日
公開日（公表日）： 1991年04月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】不純物を含む酸化シリコン層から半導体層への不純物の拡散工程を含む半導体装置の製造方法において、前記拡散工程が、前記酸化シリコン層中の特定の不純物を酸化する酸化雰囲気下での熱処理工程、前記特定の不純物を還元する還元雰囲気下での熱処理工程、及び、前記特定の不純物を酸化還元しない非酸化非還元雰囲気下での熱処理工程のうち少なくとも2つの工程を個別に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/225
, H01L 21/336
, H01L 21/822
, H01L 21/8242
, H01L 27/04
, H01L 27/108
, H01L 29/78
H01L 21/225 Q
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 625 Z
, H01L 29/78 301 P
