特許

J-GLOBAL ID：201103089301953091

基板処理方法及び基板処理装置

発明者： 檜山 真
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-102004
公開番号（公開出願番号）：特開2011-029598
出願日： 2010年04月27日
公開日（公表日）： 2011年02月10日
要約：

【課題】高いアスペクト比で、狭い幅の溝に絶縁膜を埋め込むことの可能な、スループットの高い基板処理方法を提供する。【解決手段】基板を処理室内へ搬入する工程と、炭素及び水素を含むシリコン化合物ガスを処理室内へ供給する工程と、処理室内へ供給されたシリコン化合物ガスに紫外光を照射して基板を処理する工程と、処理された基板を処理室から搬出する工程と、処理室内を励起された酸素含有ガスで処理する工程とを備える基板処理方法により、基板を処理する。これにより、シリコン化合物ガスに紫外光を照射して基板を処理する際に処理室内壁等に付着した付着物を、励起された酸素含有ガスで処理することにより改質することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板を処理室内へ搬入する工程と、 炭素及び水素を含むシリコン化合物ガスを処理室内へ供給する工程と、 処理室内へ供給されたシリコン化合物ガスに紫外光を照射して基板を処理する工程と、 処理された基板を処理室から搬出する工程と、 処理室内を励起された酸素含有ガスで処理する工程とを有する基板処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/76

FI (4件)：

H01L21/316 X ,  H01L21/304 645Z ,  H01L21/31 B ,  H01L21/76 L

Fターム (35件)：

5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032DA03 ,  5F032DA23 ,  5F032DA78 ,  5F045AA11 ,  5F045AC07 ,  5F045DP04 ,  5F045EB06 ,  5F045EC03 ,  5F058BC02 ,  5F058BF05 ,  5F058BF25 ,  5F058BF78 ,  5F058BJ06 ,  5F157AA42 ,  5F157AA43 ,  5F157AA77 ,  5F157AA85 ,  5F157AB02 ,  5F157AB12 ,  5F157AB33 ,  5F157AB42 ,  5F157AB51 ,  5F157BG04 ,  5F157BG06 ,  5F157BG43 ,  5F157BG75 ,  5F157BH18 ,  5F157BH21 ,  5F157CC11 ,  5F157CE03 ,  5F157CF40 ,  5F157CF72 ,  5F157DB02