特許

J-GLOBAL ID：201103089385135003

メモリ素子及びその動作方法

発明者： 李 明宰 ,  李 東洙 ,  李 昌範 ,  李 承烈
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (2件)： 渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-276764
公開番号（公開出願番号）：特開2011-135071
出願日： 2010年12月13日
公開日（公表日）： 2011年07月07日
要約：

【課題】メモリ素子及びその動作方法を提供する。【解決手段】メモリセルを含み、該メモリセルは、バイポーラメモリ要素及び双方向スイッチング要素を含み、該双方向スイッチング要素は、該バイポーラ・メモリ要素の両端に連結され、該双方向スイッチング要素は、第1スイッチング要素及び第2スイッチング要素を含み、該第1スイッチング要素は、該バイポーラ・メモリ要素の一端に連結され、第1スイッチング方向を有することができ、該第2スイッチング要素は、該バイポーラ・メモリ要素の他端に連結され、第2スイッチング方向を有することができ、該第2スイッチング方向は、該第1スイッチング方向に反対方向でありうる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

メモリセルを含むメモリ素子において、 前記メモリセルは、 バイポーラ・メモリ要素と、 前記バイポーラ・メモリ要素の両端に連結されたものであり、双方向スイッチング特性を有する双方向スイッチング要素と、を含むメモリ素子。

IPC (7件)：

H01L 27/105 ,  G11C 13/00 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  H01L 29/861

FI (7件)：

H01L27/10 448 ,  G11C13/00 A ,  H01L29/48 F ,  H01L29/48 D ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  H01L29/91 F

Fターム (28件)：

4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB16 ,  4M104CC03 ,  4M104FF01 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG16 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA10 ,  5F083GA27 ,  5F083GA28 ,  5F083HA06 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083LA02 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13