半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-089928
公開番号（公開出願番号）：特開平2-268433
特許番号：特許第3119475号
出願日： 1989年04月10日
公開日（公表日）： 1990年11月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】炉芯管内の半導体基板にシリコン酸化膜をシランと亜酸化窒素を原料ガスとして減圧気相成長法により形成する工程と、続いて減圧下にて前記炉芯管内に酸素を導入し、炉芯管内に残留するシランを酸素と反応させて酸化物に変化させ真空排気系により炉芯管外に排出する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：