特許

J-GLOBAL ID：201103089943524453

パターン形成方法

発明者： 山下 直紀 ,  前盛 諭 ,  熊田 信次 ,  二井谷 真輝
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-139523
公開番号（公開出願番号）：特開2010-286618
出願日： 2009年06月10日
公開日（公表日）： 2010年12月24日
要約：

【課題】微細パターンの形成に有用なパターン形成方法を提供する。【解決手段】基板1上に下層膜2が積層された支持体上に、レジストパターン3を形成する工程(i)と、前記レジストパターン3が形成された前記支持体上に、反転パターン形成用材料を塗布してパターン反転用被膜4を形成する工程(ii)と、前記レジストパターン3をエッチングにより除去し、反転パターン4aを形成する工程(iii)と、を備え、前記反転パターン形成用材料が、テトラアルコキシチタンの加水分解物が脱水縮合して形成されるチタン含有ポリマー(T)を含有することを特徴とするパターン形成方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

支持体上に、レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成する工程(i)と、 前記レジストパターンが形成された前記支持体上に、反転パターン形成用材料を塗布してパターン反転用被膜を形成する工程(ii)と、 前記レジストパターンをエッチングにより除去し、反転パターンを形成する工程(iii)と、を備え、 前記反転パターン形成用材料が、テトラアルコキシチタンの加水分解物が脱水縮合して形成されるチタン含有ポリマー(T)を含有することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/40 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F7/40 511 ,  H01L21/302 105A ,  H01L21/30 570

Fターム (13件)：

2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096HA07 ,  2H096HA23 ,  2H096JA04 ,  5F004AA04 ,  5F004DB23 ,  5F004DB26 ,  5F004EA02 ,  5F004EA15 ,  5F004EA22 ,  5F046LA18 ,  5F046LB09