特許
J-GLOBAL ID：201103090036528977
絶縁膜の評価方法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松下 義治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-304893
公開番号（公開出願番号）：特開2002-116236
特許番号：特許第4256060号
出願日： 2000年10月04日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体素子に利用される絶縁膜に電流を印加する電流源と、前記絶縁膜に前記電流を印加した時に生じる電圧を測定する電圧計を有する回路を制御するシステムを用いた絶縁膜の評価方法であって、
前記絶縁膜に第1の電流を任意の時間通電して生じる第1の電圧を測定する手順と、
次に、前記絶縁膜への前記第1の電流の通電を遮断する手順と、
次に、前記絶縁膜に前記第1の電流よりも電流の絶対値の大きい第2の電流を任意の時間通電して生じる第2の電圧を測定する手順と、
次に、前記絶縁膜への第2の電流の通電を遮断する手順と、
前記第1の電圧の絶対値と前記第2の電圧の絶対値を比較する手順と、を有し、
前記第1の電圧の絶対値が前記第2の電圧の絶対値よりも、第1の正の値だけ大きい時、前記絶縁膜が絶縁破壊されたと判定し、前記絶縁膜が絶縁破壊されていないと判定された場合には、さらに、前記絶縁膜に前記第2の電流よりも電流の絶対値の大きい第3の電流を任意の時間通電して生じる第3の電圧を測定する手順と、
次に、前記絶縁膜への第3の電流の通電を遮断する手順と、
前記第2の電圧の絶対値と前記第3の電圧の絶対値を比較する手順と、を有し、
前記第2の電圧の絶対値が前記第3の電圧の絶対値よりも、前記第1の正の値とは異なる、第2の正の値だけ大きい時、前記絶縁膜が絶縁破壊されたと判定し、そうでない場合は前記絶縁膜が絶縁破壊されていないと判定する絶縁膜の評価方法。
IPC (2件)：
G01R 31/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/66 ( 200 6.01)
G01R 31/12 Z
, H01L 21/66 Q
