二酸化ケイ素ギャップ充填材のための前駆体

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：稲葉良幸 , 大貫敏史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-515169
公開番号（公開出願番号）：特表2011-511881
出願日： 2008年06月27日
公開日（公表日）： 2011年04月14日
要約：

その中に高アスペクト比のトレンチを有する超小型電子デバイス基板および当該トレンチ中に完全に充填された二酸化ケイ素の塊を含む完全充填型のトレンチ構造であって、当該二酸化ケイ素は、そのバルク塊全体にわたり、実質的にボイドが無いという特徴を有し、実質的に均一な密度を有する、完全充填型のトレンチ構造。半導体製品を製造する対応する方法を記載し、この方法では、超小型電子デバイス基板のトレンチを完全に充填する場合に使用するために、特異的なケイ素前駆体組成物を使用し、その場合、二酸化ケイ素前駆体組成物を処理して、実質的にボイドが無くかつ実質的に均一密度の二酸化ケイ素材料をトレンチ中に形成するための加水分解反応および縮合反応を実施する。充填処理によって、ケイ素およびゲルマニウムを含む充填用前駆体組成物を用いて実施して、GeO2/SiO2トレンチ充填用材料を含む超小型電子デバイス構造を得ることができる。充填用前駆体組成物中で抑制剤成分、例えば、メタノールを利用して、硬化させたトレンチ充填用材料中でのシーム形成を排除または最小化することができる。

請求項（抜粋）：

その中に高アスペクト比のトレンチを有する超小型電子デバイス基板および前記トレンチ中に完全に充填された二酸化ケイ素の塊を含む完全充填型のトレンチ構造であって、前記二酸化ケイ素は、そのバルク塊全体にわたり、実質的にボイドが無いという特徴を有し、実質的に均一な密度を有する、完全充填型のトレンチ構造。

IPC (4件)：

C23C 16/42 , H01L 21/316 , H01L 21/76 , H01L 21/205

FI (4件)：

C23C16/42 , H01L21/316 X , H01L21/76 L , H01L21/205

Fターム (42件)：

4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030DA02 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030LA15 , 5F032AA34 , 5F032AA44 , 5F032AA45 , 5F032AA50 , 5F032AA54 , 5F032AA69 , 5F032BA01 , 5F032DA02 , 5F032DA09 , 5F032DA22 , 5F032DA53 , 5F032DA74 , 5F032DA78 , 5F045AA04 , 5F045AB32 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AD04 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AF03 , 5F045BB07 , 5F045BB19 , 5F045CA05 , 5F058BA09 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BF06 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BJ01

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