特許
J-GLOBAL ID：201103090251338348
半導体集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-249078
公開番号（公開出願番号）：特開平3-112157
特許番号：特許第2675638号
出願日： 1989年09月27日
公開日（公表日）： 1991年05月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】集積回路チップに与えられる電源電圧とは別の基板バイアス電圧を発生する基板バイアス発生回路と、電源投入により前記基板バイアス発生回路が発生する基板バイアス電圧が所定のレベルに達した時に、または、電源投入と同時に、定電位発生動作を開始し、電流出力レベルを段階的に立ち上げて集積回路内の所要部分に供給する定電位発生回路とを具備することを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
FI (1件)：
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