特許

J-GLOBAL ID：201103090648292700

光電変換装置及びその製造方法

発明者： 諸岡 正浩
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (3件)： 森 幸一 ,  吉井 正明 ,  山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-080221
公開番号（公開出願番号）：特開2011-216190
出願日： 2010年03月31日
公開日（公表日）： 2011年10月27日
要約：

【課題】軽量、薄型でフレキシブルであり、変換効率を向上させることが可能な光電変換装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】光電変換装置の製造方法は、導電性シート10の面に多孔質カーボン層12を形成する第1工程と、多孔質カーボン層を覆うように導電性シートの面に多孔質絶縁層14を形成する第2工程と、多孔質絶縁層の面に集電グリッド20を形成する第3工程と、集電グリッドを覆うように多孔質絶縁層の面に多孔質金属酸化物半導体層を形成する第4工程と、多孔質金属酸化物半導体層に色素を担持させる第5工程と、多孔質金属酸化物半導体層、多孔質絶縁層、及び、多孔質カーボン層に電解質液を浸透させる第6工程と、少なくとも多孔質絶縁層及び多孔質金属酸化物半導体層を覆うように、透光性封止層22を形成する第7工程と有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

導電性基材の面に多孔質触媒層を形成する第1工程と、 前記多孔質触媒層を覆うように前記導電性基材の面に多孔質絶縁層を形成する第2工 程と、 前記多孔質絶縁層の面に集電層を形成する第3工程と、 前記集電層を覆うように前記多孔質絶縁層の面に多孔質金属酸化物半導体層を形成す る第4工程と、 前記多孔質金属酸化物半導体層に色素を担持させる第5工程と、 前記多孔質金属酸化物半導体層、前記多孔質絶縁層、及び、前記多孔質触媒層に電解 質液を浸透させる第6工程と、 少なくとも前記多孔質絶縁層及び前記多孔質金属酸化物半導体層を覆うように、透光 性封止層を形成する第7工程と を有する、光電変換装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z

Fターム (13件)：

5F151AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032AS19 ,  5H032BB05 ,  5H032CC14 ,  5H032CC16 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02 ,  5H032EE15 ,  5H032EE16 ,  5H032EE18