特許

J-GLOBAL ID：201103090648492700

アモルファス炭素成膜装置及び成膜方法

発明者： 秋山 倫雄 ,  鈴木 寿弘 ,  池田 智 ,  川村 裕明 ,  石川 道夫
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (6件)： 清水 善廣 ,  阿部 伸一 ,  辻田 幸史 ,  田代 作男 ,  町田 悦夫 ,  打揚 洋次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-081512
公開番号（公開出願番号）：特開2001-262314
特許番号：特許第4378022号
出願日： 2000年03月23日
公開日（公表日）： 2001年09月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】一端が開口し他端が閉じた中空部を有する円筒状炭素ターゲットが配置され、該中空部にプラズマが発生するように構成されているマグネトロン放電型スパッタ装置であって、該ターゲットの開口部と基板との間の距離が、Hv=1500kgf/mm2以上の膜硬度を有するアモルファス炭素膜が形成され得るように離してあることを特徴とするアモルファス炭素成膜装置。

IPC (4件)：

C23C 14/06 ( 200 6.01) ,  B23P 15/28 ( 200 6.01) ,  G11B 5/84 ( 200 6.01) ,  B23B 27/14 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C23C 14/06 F ,  B23P 15/28 A ,  G11B 5/84 B ,  B23B 27/14 A