特許
J-GLOBAL ID：201103090676158483
太陽電池、その太陽電池を用いた太陽電池モジュール及び太陽電池の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
鳥居 洋
, 松川 克明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-064800
公開番号（公開出願番号）：特開2011-199045
出願日： 2010年03月19日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：
【課題】 透明導電膜の全面に透光性絶縁層を形成した後に、透光性絶縁層を除去する際に、溝の深さの制御にゆとりを持たせ、量産性に優れた太陽電池を提供する。【解決手段】 n型単結晶シリコン基板10の表面側に形成されたn型非晶質シリコン層11と、n型非晶質シリコン層11上に形成された表面側の透明導電膜12と、基板10の裏面側に形成されたp型非晶質シリコン層13と、p型非晶質シリコン層13上に形成された裏面側の透明導電膜14と、を備え、表面側の透明導電膜12上にメッキにより形成された表面側集電極30が設けられるとともに裏面側の透明導電膜14上に印刷により形成された裏面側集電極4が設けられている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型を有する結晶系半導体基板と、
前記結晶系半導体基板の第1の面上に設けられた前記第1導電型を有する第1の非晶質半導体層と、
前記第1の非晶質半導体層上に設けられた第1の集電極と、
前記結晶系半導体基板の第2の面上に設けられた第2の導電型を有する第2の非晶質半導体層と、
前記第2の非晶質半導体層上に設けられた第2の集電極と、を備え、
前記第1の集電極は、メッキ法により形成され、
前記第2の集電極は、前記結晶系半導体基板と前記第2の非晶質半導体層との間の接合に影響を及ぼさない方法で形成され、
前記第1の集電極の形成領域の面積は、前記第2の集電極の形成領域の面積より小さいことを特徴とする太陽電池。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (18件)：
5F151AA02
, 5F151AA05
, 5F151CA02
, 5F151CA03
, 5F151CA04
, 5F151CB27
, 5F151DA07
, 5F151EA09
, 5F151EA16
, 5F151FA04
, 5F151FA06
, 5F151FA10
, 5F151FA14
, 5F151FA15
, 5F151FA17
, 5F151GA04
, 5F151JA02
, 5F151JA09
