特許

J-GLOBAL ID：201103090890902041

エピタキシャルウェーハ製造方法及びサセプタ

発明者： 中村 元宜
出願人/特許権者： 株式会社SUMCO
代理人 (1件)： 特許業務法人ウィルフォート国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-035917
公開番号（公開出願番号）：特開2011-171637
出願日： 2010年02月22日
公開日（公表日）： 2011年09月01日
要約：

【課題】エピタキシャルウェーハの外周部の厚さを容易且つ適切に制御することのできる技術を提供する。【解決手段】エピタキシャル層を生成する際における、ウェーハWを載置するためのサセプタ26の外周部の高さ位置から、サセプタ26のウェーハWを載置する位置までのザグリ深さを特定するザグリ深さ情報を決定し(ステップS1)、サセプタ26におけるザグリ深さが、ザグリ深さ情報により特定されるザグリ深さとなるように、サセプタ26の外周部の高さ方向にシリコン膜を生成させ(ステップS4)、サセプタ26にウェーハWを載置させ、ウェーハWにエピタキシャル層を生成する(ステップS7)ようにする。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

ウェーハにエピタキシャル層を生成してエピタキシャルウェーハを製造するエピタキシャルウェーハ製造方法であって、 エピタキシャル層を生成する際における、前記ウェーハを載置するためのサセプタの外周部の高さ位置から、前記サセプタの前記ウェーハを載置する位置までのザグリ深さを特定するザグリ深さ情報を決定する決定ステップと、 前記サセプタにおける前記ザグリ深さが、前記ザグリ深さ情報により特定されるザグリ深さとなるように、前記サセプタの前記外周部の高さ方向にシリコン膜を生成させるシリコン膜生成ステップと、 前記シリコン膜を生成させたサセプタに前記ウェーハを載置させ、前記ウェーハにエピタキシャル層を生成するエピタキシャル成長ステップと を有するエピタキシャルウェーハ製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/458 ,  H01L 21/683

FI (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  H01L21/68 N

Fターム (33件)：

4K030AA03 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030KA02 ,  4K030KA23 ,  4K030LA15 ,  5F031CA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA08 ,  5F031MA28 ,  5F031MA29 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC05 ,  5F045AC13 ,  5F045AF03 ,  5F045AF19 ,  5F045BB02 ,  5F045DP04 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB11 ,  5F045EK11 ,  5F045EK12 ,  5F045EK14 ,  5F045EM02 ,  5F045EM09 ,  5F045GB01