特許
J-GLOBAL ID：201103091069881431

発光素子

発明者：
ジョ,キャンウ

ジョ,キャンウ について

, 
ワン,スンミン

ワン,スンミン について


出願人/特許権者：
エルジー イノテック カンパニー リミテッド

エルジー イノテック カンパニー リミテッド について


代理人 (1件)： 金高 寿裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-049898
公開番号（公開出願番号）：特開2011-187958
出願日： 2011年03月08日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：
【課題】本発明は、発光効率及び光抽出効率を向上させた発光素子を提供するためのものである。【解決手段】本発明による発光素子は、第1半導体層、活性層、及び第2半導体層を含む発光構造物と、第2半導体層が露出されるように少なくとも第1半導体層と上記活性層とを貫通するキャビティと、キャビティの内部の第2半導体層からキャビティの外部に延長された第1電極と、第1電極から離隔し、第1電極の側面を囲むように第1半導体層の下面の縁領域に配置された第2電極と、第1電極と発光構造物との間の絶縁層と、を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1半導体層、活性層、及び第2半導体層を含む発光構造物と、 前記第2半導体層が露出されるように少なくとも前記第1半導体層と前記活性層とを貫通する第1キャビティと、 前記第1キャビティの内部の前記第2半導体層から前記第1キャビティの外部に延長された第1電極と、 前記第1電極から離隔し、前記第1電極の側面を囲むように前記第1半導体層の下面の縁領域に配置された第2電極と、 前記第1電極と前記発光構造物との間の第1絶縁層と、 を含むことを特徴とする発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/02 ,  H01L 33/64 ,  H01L 33/36
FI (3件)：
H01L33/00 100 ,  H01L33/00 450 ,  H01L33/00 200
Fターム (11件)：
5F041AA03 ,  5F041AA05 ,  5F041AA21 ,  5F041AA25 ,  5F041AA33 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA74 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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