半導体発光装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野則次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-191368
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009343
特許番号：特許第3613328号
出願日： 2000年06月26日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体発光素子と、前記半導体発光素子に並列に接続され且つ前記半導体発光素子の温度が所定温度よりも高くなった時にオン状態になるか又は抵抗値が低下する特性を有している保護素子と、前記半導体発光素子に並列に接続された過電圧防止用定電圧ダイオードとを有し、前記保護素子は導通開始に要求されるベース・エミッタ間電圧が負の温度係数を有するトランジスタであり、前記トランジスタと前記定電圧ダイオードは同一の半導体基体に形成されており、前記半導体発光素子は前記半導体基体の上に配置されていることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (1件)：