特許
J-GLOBAL ID：201103091583062105
III族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小西 富雅
, 萩野 幹治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-170910
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368264
特許番号：特許第3812368号
出願日： 2001年06月06日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】補助基板の上に分離層を形成するステップ、
下地層を前記分離層の上に形成するステップ、
前記下地層の上に溶射層を形成するステップ、
前記分離層を前記下地層から分離するステップ、
前記下地層の上にIII族窒化物系化合物半導体層を形成するステップ、とを含んでなる、III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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