特許

J-GLOBAL ID：201103092168475921

化合物半導体装置

発明者： 岩上 信一 ,  一丸 敬一 ,  金子 信男 ,  新里 昌弘
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (5件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-067678
公開番号（公開出願番号）：特開2011-204717
出願日： 2010年03月24日
公開日（公表日）： 2011年10月13日
要約：

【課題】閾値電圧の高い良好なノーマリオフ特性を有する化合物半導体装置を提供する。【解決手段】キャリア走行層21とキャリア供給層22を有し、二次元キャリアガス層211が形成される化合物半導体層2と、化合物半導体層2上に互いに離間して配置され、二次元キャリアガス層211とオーミック接続する第1の主電極3及び第2の主電極4と、第1の主電極3と第2の主電極4間で、化合物半導体層2上に配置された金属酸化物半導体膜8と、金属酸化物半導体膜8上に配置された、金属酸化物半導体膜8に接するチタン膜又はチタンを含む化合物膜を有する制御電極5とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

キャリア走行層とキャリア供給層を有し、二次元キャリアガス層が形成される化合物半導体層と、 前記化合物半導体層上に互いに離間して配置され、前記二次元キャリアガス層とオーミック接続する第1及び第2の主電極と、 前記第1の主電極と前記第2の主電極間で、前記化合物半導体層上に配置された金属酸化物半導体膜と、 前記金属酸化物半導体膜上に配置された、前記金属酸化物半導体膜に接するチタン膜又はチタンを含む化合物膜を有する制御電極と を備えることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/41

FI (5件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/80 M ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/44 Y

Fターム (44件)：

4M104AA03 ,  4M104AA07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104CC03 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD37 ,  4M104DD63 ,  4M104FF01 ,  4M104FF06 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GM04 ,  5F102GM09 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12 ,  5F102GR15 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GT04 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08