欠陥検査方法及びその装置並びにそれを用いた半導体の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-126617
公開番号（公開出願番号）：特開平2-306144
特許番号：特許第3070745号
出願日： 1989年05月22日
公開日（公表日）： 1990年12月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】被検査試料を検査して該被検査試料上に存在する欠陥を検出して該欠陥の位置を前記被検査試料上の絶対座標系における位置として記憶し、前記被検査試料に対して所定の処理を施し、該所定の処理を施した前記被検査試料を再度検査して該被検査試料上に存在する欠陥を検出し、該検出した欠陥の前記被検査試料上の絶対座標系における位置を前記記憶した欠陥の前記被検査試料上の絶対座標系における位置と比較し、該比較した結果に基づく前記被検査試料上の欠陥に関する情報を出力することを特徴とする欠陥検査方法。

IPC (3件)：