特許
J-GLOBAL ID：201103092250738388

露光マスク、その製造方法、露光装置および露光方法

発明者：
羽根 博樹

羽根 博樹 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-330207
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133218
特許番号：特許第4066636号
出願日： 2001年10月29日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】メンブレン状の基板に開口パターンからなる露光パターンを設けてなる露光マスクであって、 シリコン基板上に酸化シリコン膜を介してシリコン薄膜を形成してなるSOI基板において当該シリコン基板の周縁部を残して当該シリコン基板をエッチング除去することにより形成された当該シリコン基板からなる支持枠と、 前記酸化シリコン膜と前記シリコン薄膜とからなるメンブレン状の基板とを備え、 前記酸化シリコン膜に第1の溝パターンが形成され、 前記シリコン薄膜に前記第1の溝パターンと部分的に交差する状態で当該第1の溝パターンに達する第2の溝パターンが形成され、 前記第1の溝パターンと前記第2の溝パターンとの交差部分に前記基板の一主面側と他主面側とを連通する露光パターンが設けられている ことを特徴とする露光マスク。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ( 200 6.01) ,  G03F 1/16 ( 200 6.01) ,  G03F 7/20 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 21/30 541 S ,  H01L 21/30 531 M ,  G03F 1/16 B ,  G03F 7/20 504
引用特許：
審査官引用 (4件)
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