特許
J-GLOBAL ID：201103092358091798
エピタキシャルウェーハおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司 (外1名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-018028
公開番号（公開出願番号）：特開平2-197128
出願日： 1989年01月26日
公開日（公表日）： 1990年08月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板の側面および裏面にオートドーピング防止のための保護膜を有し、かつ半導体基板の表面にエピタキシャル層を有するエピタキシャルウェーハにおいて、上記保護膜が3重量%以上のOH基を含んだ酸化膜から構成されていることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/316 X 7352-4M
