化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-041472
公開番号（公開出願番号）：特開2011-180185
出願日： 2010年02月26日
公開日（公表日）： 2011年09月15日
要約：

【解決手段】(A)水性アルカリ性現像液に可溶性であり、酸触媒による反応で水性アルカリ性現像液に不溶性となるベースポリマー、及び/又は、水性アルカリ性現像液に可溶性であり、酸触媒により架橋剤と反応して水性アルカリ性現像液に不溶性になるベースポリマーと架橋剤の組み合わせ、(B)酸発生剤、(C)塩基性成分として窒素を含有する化合物を含有する化学増幅ネガ型レジスト組成物において、上記ベースポリマーの少なくとも一部として、一般式(1)で示される高分子化合物を用いる。【効果】酸の拡散をより均一かつ低拡散にすることができ、ラインエッジラフネスの改善、パターンの基板依存性の小さい化学増幅ネガ型レジスト組成物を提供する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)水性アルカリ性現像液に可溶性のベースポリマー、 (B)酸発生剤、 (C)塩基性成分として窒素を含有する化合物を含有し、上記(A)成分の高分子化合物が、架橋剤の存在下又は不存在下で、上記酸発生剤から発生する酸触媒によりアルカリ不溶性となる化学増幅ネガ型レジスト組成物において、上記ベースポリマーの少なくとも一部として、下記一般式(1)

IPC (7件)：

G03F 7/038 , G03F 7/004 , C08F 16/12 , C08F 20/10 , C08F 32/08 , C08F 12/14 , H01L 21/027

FI (8件)：

G03F7/038 601 , G03F7/004 503A , G03F7/004 501 , C08F16/12 , C08F20/10 , C08F32/08 , C08F12/14 , H01L21/30 502R

Fターム (48件)：

2H125AE04P , 2H125AF17P , 2H125AF38P , 2H125AF42P , 2H125AF70P , 2H125AM12P , 2H125AM16P , 2H125AM22P , 2H125AM42P , 2H125AM66P , 2H125AM93P , 2H125AM99P , 2H125AN31P , 2H125AN39P , 2H125AN57P , 2H125AN62P , 2H125AN65P , 2H125BA01P , 2H125BA26P , 2H125BA32P , 2H125CA08 , 2H125CA12 , 2H125CB16 , 2H125CC01 , 4J100AB02Q , 4J100AB04Q , 4J100AB07P , 4J100AB07Q , 4J100AB08Q , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08S , 4J100AR09R , 4J100AR10R , 4J100BA03P , 4J100BA05Q , 4J100BA17Q , 4J100BA17S , 4J100BA50Q , 4J100BA50S , 4J100BB12Q , 4J100BB12S , 4J100BC43P , 4J100CA04 , 4J100CA06 , 4J100FA03 , 4J100FA19 , 4J100JA38

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