特許

J-GLOBAL ID：201103092485192935

半導体装置の製造方法

発明者： 小森 重樹 ,  黒井 隆
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-229952
公開番号（公開出願番号）：特開平3-093264
特許番号：特許第2768751号
出願日： 1989年09月05日
公開日（公表日）： 1991年04月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板にウエルを形成する工程と、該ウエルの主表面にトランジスタを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法において、上記ウエル形成工程は、上記半導体基板上にフィールド酸化膜を形成した後、第1導電型のウエルを形成するためのレジストをパターニングする工程と、該レジストをマスクとして第1導電型のウエル不純物を1回あるいは複数回イオン注入し、第1導電型のウエルを形成する工程と、上記レジストを除去した後、基板全面に第2導電型のウエル不純物を1回あるいは複数回イオン注入し、第2導電型のウエルを形成すると同時に、上記第1導電型のウエルの底部に隣接して第2導電型の埋込み層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/092

FI (2件)：

H01L 27/08 321 B ,  H01L 21/265 604 Z