特許

J-GLOBAL ID：201103092629968372

光導電層の製造方法

発明者： 清都 尚治 ,  安藤 広敏
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (3件)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛 ,  渋谷 淑子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-200202
公開番号（公開出願番号）：特開2011-054638
出願日： 2009年08月31日
公開日（公表日）： 2011年03月17日
要約：

【課題】発生した電荷を効率よく電極へ移動させることが可能な光導電層を製造する。【解決手段】放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する無機半導体粒子からなる光導電層の製造方法であって、無機半導体粒子とバインダーとを分散した分散液1を仮支持体2上に塗布して塗布膜3を形成し、塗布膜3を真空乾燥した後、プレスする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する無機半導体粒子からなる光導電層の製造方法であって、前記無機半導体粒子とバインダーとを分散した分散液を仮支持体上に塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜を真空乾燥した後、プレスすることを特徴とする光導電層の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/14 ,  G01T 1/24 ,  G21K 4/00

FI (4件)：

H01L27/14 K ,  G01T1/24 ,  G21K4/00 K ,  G21K4/00 A

Fターム (13件)：

2G083AA04 ,  2G083BB01 ,  2G083DD01 ,  2G088EE03 ,  2G088FF02 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ37 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118CA14 ,  4M118CB05 ,  4M118GA10