特許

J-GLOBAL ID：201103092663066744

半導体基板から金属ハードマスクエッチング残留物を除去するための組成物

発明者： ホワ キュイ
出願人/特許権者： イー.ケー.シー.テクノロジー.インコーポレーテッド
代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-534012
公開番号（公開出願番号）：特表2011-503899
出願日： 2008年09月29日
公開日（公表日）： 2011年01月27日
要約：

レジスト、エッチング残留物、平滑化残留物、金属フッ化物および/または金属酸化物を基板から除去するための組成物であって、組成物は金属イオンを含まないフッ化物化合物および水を含む組成物が提供される。レジスト、エッチング残留物、平滑化残留物、金属フッ化物および/または金属酸化物は、金属ハードマスクが使用される1つまたは複数のパターニングプロセス中に発生する。

請求項（抜粋）：

レジスト、エッチング残留物、平滑化残留物、金属フッ化物および金属酸化物の1つまたは複数を基板から除去するための組成物であって、前記組成物は、 a)フッ化アンモニウム、二フッ化アンモニウム、HFおよびそれらの混合物からなる群から選択される、金属イオンを含まないフッ化物化合物; b)1つまたは複数の酸;および c)水 を含み、前記組成物のpHは約1から8であり、 前記レジスト、エッチング残留物、平滑化残留物、金属フッ化物および金属酸化物の1つまたは複数は、金属ハードマスクが使用される1つまたは複数のパターニングプロセス中に発生することを特徴とする組成物。

IPC (1件)：

H01L 21/304

FI (1件)：

H01L21/304 647

Fターム (13件)：

5F157AA46 ,  5F157AA63 ,  5F157AA64 ,  5F157BC03 ,  5F157BC07 ,  5F157BC53 ,  5F157BC54 ,  5F157BE12 ,  5F157BE34 ,  5F157BE42 ,  5F157BF22 ,  5F157BF23 ,  5F157BF32