LEDチップとリードフレームとの接合方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-135858
公開番号（公開出願番号）：特開2011-176260
出願日： 2010年06月15日
公開日（公表日）： 2011年09月08日
要約：

【課題】少量の高価な銀を使用して、240〜300°Cの温度にてリードフレームとLEDチップとを高い接合強度で簡単に接合することができる接合方法の提供を提供する。【解決手段】リードフレーム8は、所定の形状に打ち抜き加工された銅合金部材11の上にニッケルめっき層12、銅錫合金層13、錫めっき層14、Ag3Sn合金層16を順に形成したものであり、最表面がAg3Sn合金層16とされている。このリードフレーム8とLEDチップ1との接合部は、LEDチップ1の最表面層を形成していた金層9が、リードフレーム7の最表面のAg3Sn合金層16の一部と錫めっき層14の一部と合金化反応して、金銀錫合金層15を形成しており、この金銀錫合金層15によってLEDチップ1とリードフレーム7とが接合されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

LEDチップと銅合金リードフレームとの接合方法において、前記LEDチップの前記銅合金リードフレームと接合される部位に金を0.1〜1μmの厚みにて蒸着するとともに、前記銅合金リードフレームの表面に、最表面側が錫めっき層である複数のめっき層あるいは合金層を形成し、前記錫めっき層の表面に、厚さが0.01〜0.5μmで、光沢度が80〜110%であるAg3Sn合金層を形成し、前記銅合金リードフレームのAg3Sn合金層部位に前記LEDチップの金が蒸着された部位を重ね合わせ、その重ね合わせ状態で240〜300°Cの温度に加熱することにより、前記リードフレームのAg3Sn合金層部位と、前記LEDチップの金が蒸着された部位との間に、金銀錫合金層を形成して前記LEDチップを前記リードフレームに接合することを特徴とするLEDチップとリードフレームとの接合方法。

IPC (3件)：

H01L 33/62 , H01L 21/52 , H01L 23/48

FI (4件)：

H01L33/00 440 , H01L21/52 D , H01L23/48 Y , H01L23/48 V

Fターム (14件)：

5F041CA92 , 5F041DA03 , 5F041DA09 , 5F041DA17 , 5F041DA22 , 5F041DA29 , 5F047AA11 , 5F047BA05 , 5F047BA15 , 5F047BA19 , 5F047BB07 , 5F047BB18 , 5F047BB19 , 5F047CA08

前のページに戻る