特許
J-GLOBAL ID:201103092862121711

珪素添加ガリウム砒素単結晶の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 則近 憲佑 (外1名)
公報種別:特許公告
出願番号(国際出願番号):特願昭61-229730
公開番号(公開出願番号):特開昭63-089497
出願日: 1986年09月30日
公開日(公表日): 1988年04月20日
請求項(抜粋):
【請求項1】単体のガリウムと単体の砒素を収容する坩堝内に適当な量の不純物添加剤として珪素、または珪素化合物を同時に挿入し、該坩堝を高圧容器内に収容した後、加熱を開始し前記坩堝内で前記ガリウムと前記砒素とを直接合成し、更に加熱を続けて原料融液を形成した後、液体封止引上げ法によりガリウム砒素単結晶を製造する方法において、前記原料融液の初期組成(Ga/As原子比)を0.96〜0.98に設定することを特徴とする珪素添加ガリウム砒素単結晶の製造方法。
IPC (2件):
C30B 29/42 8216-4G ,  C30B 27/02

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