輪郭成形基板を含む崩壊モードで動作可能なcMUT

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：津軽進 , 笛田秀仙
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-537594
公開番号（公開出願番号）：特表2011-506075
出願日： 2008年12月12日
公開日（公表日）： 2011年03月03日
要約：

減少したバイアス電圧又はバイアス電圧無しのどちらか一方で崩壊モードで動作可能である容量性超音波トランスデューサが供給される。このトランスデューサは、バイアス電圧がないと、前記柔軟膜の中央領域が前記基板に崩壊するように輪郭成形される基板を有する。前記基板と前記柔軟膜の周辺領域との間に崩壊していない間隙が存在している。前記基板の輪郭は、崩壊地点を通り越して前記柔軟膜を引っ張るか、又は前記柔軟膜と機械的に干渉しているかである。前記基板は、前記柔軟膜の下に置かれる他の膜を有し、この他の膜は、前記柔軟膜がこの他の膜に崩壊するように輪郭成形される。前記基板は、前記柔軟膜に向かい上向きに前記他の膜の対応する部分をそらせるために、前記他の膜の下に置かれる支持体でもよい。前記支持体は柱でもよい。トランスデューサは、同等に輪郭成形されていない基板を示している他の点では同等の従来のトランスデューサと比べ、改善された効率(k2eff)で崩壊モードで動作する。関連する医療撮像システムが供給され、このシステムは、共通の基板上に置かれる上記トランスデューサのアレイを含む。バイアス電圧がないと、前記トランスデューサを崩壊モードで動作させるステップを含む上記トランスデューサを動作させる方法が供給される。

請求項（抜粋）：

基板、及び柔軟膜を有する容量性超音波トランスデューサにおいて、前記柔軟膜は、当該柔軟膜がそれに沿って前記基板に取り付けられている周辺領域、及び前記周辺領域間を延在している中央領域を有し、並びに前記基板は、バイアス電圧がないと、前記柔軟膜が前記中央領域の付近において前記基板に崩壊するように輪郭成形され、それにより前記トランスデューサは、減少したバイアス電圧又はバイアス電圧無しのどちらか一方で崩壊モードで動作することを可能にする容量性超音波トランスデューサ。

IPC (2件)：

B06B 1/06 , A61B 8/00

FI (2件)：

B06B1/06 Z , A61B8/00

Fターム (7件)：

4C601EE12 , 4C601GB50 , 5D107AA03 , 5D107BB07 , 5D107CC02 , 5D107CC11 , 5D107FF07

引用特許：

審査官引用 (1件)

静電容量型圧力センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-138397 出願人：アルプス電気株式会社

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