特許
J-GLOBAL ID：201103092944522200
混合物薄膜形成装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-071293
公開番号（公開出願番号）：特開平2-250977
特許番号：特許第2773893号
出願日： 1989年03月22日
公開日（公表日）： 1990年10月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】異なる温度(T1,T2)でそれぞれガス化する異なる原料を用いる混合物薄膜形成装置において、温度制御(T1)された、第1の原料を入れた第1の昇華槽と、温度制御(T2)された、第1の原料ガスを引き出す第1導出管と、上記第1昇華槽とは別個に温度制御(T3)された、第2の原料を入れた第2昇華槽と、上記第2昇華槽とは別個に温度制御(T4)された、第2の原料ガスを引き出す第2導出管と、それぞれのガス量を制御する第1,第2の流量制御部と、それぞれ引き出された原料ガスを混合する、独立に温度制御(T5)されたガス混合部を有するガス供給系と、混合されたガスが析出することのないように独立に温度制御(T6)されたガス輸送系と、輸送されてきたガスから薄膜を堆積させる反応室および排気系とを備え、T1<T3<T5≦T6かつT2<T4≦T5≦T6かつT1≠T2を満足するように温度制御状態が設定されていることを特徴とする混合物薄膜形成装置。
IPC (8件)：
C23C 16/52
, C01B 13/14 ZAA
, C04B 41/87 ZAA
, C23C 16/30
, H01B 13/00 HCU
, H01L 39/24
, H01B 12/06
, H01L 21/205
C23C 16/52
, C01B 13/14 ZAA Z
, C04B 41/87 ZAA F
, C23C 16/30
, H01B 13/00 HCU A
, H01L 39/24 B
, H01B 12/06
, H01L 21/205
