特許
J-GLOBAL ID:201103092957847280

縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平1-174601
公開番号(公開出願番号):特開平3-038881
特許番号:特許第2762581号
出願日: 1989年07月05日
公開日(公表日): 1991年02月19日
請求項(抜粋):
【請求項1】保護用の双方向ツェナーダイオードをゲート・ソース間及びドレイン・ゲート間にそれぞれ挿入して縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタ本体と同一チップ上に集積してなることを特徴とする縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタ。
IPC (1件):
H01L 29/78
FI (1件):
H01L 29/78 657 B

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