特許

J-GLOBAL ID：201103092976165603

半導体装置

発明者： 京増 幹雄 ,  佐原 正哲 ,  岡島 賢一 ,  中村 浩康
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-226306
公開番号（公開出願番号）：特開平3-089562
特許番号：特許第2899018号
出願日： 1989年08月31日
公開日（公表日）： 1991年04月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】高濃度p型半導体基板上にPINフォトダイオードのI層として用いられる低濃度p型エピタキシャル層が形成され、さらにその上にn型エピタキシャル層が形成されている半導体装置であって、前記n型エピタキシャル層中への不純物ドープにより形成されたn型コレクタ層、p型ベース層およびn型エミッタ層によってnpnバイポーラトランジスタが構成されており、このnpnバイポーラトランジスタの下側全体が前記低濃度p型エピタキシャル層よりも高い不純物濃度を持つp型埋込層で囲まれている半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8222 ,  H01L 21/331 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/73 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 27/06 101 D ,  H01L 31/10 A ,  H01L 29/72

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-181560
  
• 特開平1-205564