特許

J-GLOBAL ID：201103093171074845

クラスレート化合物半導体およびその製造方法

発明者： 江口 晴樹 ,  鈴木 章彦 ,  高橋 聰 ,  宮原 薫 ,  田中 徹 ,  円谷 和雄
出願人/特許権者： 株式会社IHI ,  円谷 和雄
代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-153760
公開番号（公開出願番号）：特開2001-335309
特許番号：特許第4554033号
出願日： 2000年05月24日
公開日（公表日）： 2001年12月04日
請求項（抜粋）：

【請求項1】C原子20個のクラスターとC原子24個のクラスターの中に、Ca原子が内包されてなることを特徴とするn型のクラスレート化合物半導体。

IPC (7件)：

C01B 31/02 ( 200 6.01) ,  C01B 33/021 ( 200 6.01) ,  H01L 21/208 ( 200 6.01) ,  H01L 35/14 ( 200 6.01) ,  H01L 35/22 ( 200 6.01) ,  H01L 35/34 ( 200 6.01) ,  H01S 5/32 ( 200 6.01)

FI (7件)：

C01B 31/02 101 F ,  C01B 33/021 ,  H01L 21/208 Z ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/22 ,  H01L 35/34 ,  H01S 5/32

引用特許：

審査官引用 (4件)

• M4 C6 0 製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-343722   出願人：日本電気株式会社
• クラスレート化合物およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-342101   出願人：日本電気株式会社
• 炭素クラスター化合物を用いた物性制御方法および炭素クラスター化合物およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-320725   出願人：日本電気株式会社
• クラスレート
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-007814   出願人：住友金属工業株式会社