特許

J-GLOBAL ID：201103093204531490

配線基板

発明者： 徳重 和朗 ,  木村 幸広 ,  黒田 正雄 ,  杉本 康宏
出願人/特許権者： 日本特殊陶業株式会社
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-092258
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284483
特許番号：特許第3554885号
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】主面と裏面とを有する配線基板であって、上記主面に形成され、ICチップの端子と接続するための多数の接続端子であって、多数の第1接続端子および第2接続端子を含み、上記第1接続端子および第2接続端子の少なくとも一部は、上記第1接続端子と第2接続端子とが密集する密集領域をなして配置された接続端子と、上記裏面に形成された第1外部接続端子および第2外部接続端子からなる外部接続端子と、上記配線基板の内部に、高誘電体層を介して上記密集領域を厚さ方向に投影した投影密集領域およびその周縁領域に積層され、コンデンサの電極を構成する複数の略平板状の導体層であって、第1貫通孔を有し、電源電位に接続される第1導体層と、第2貫通孔を有し、接地電位に接続される第2導体層と、上記第1接続端子と上記第1導体層と上記第1外部接続端子とを接続し、上記第2貫通孔内に位置し、第2導体層と絶縁する第1接続配線と、上記第2接続端子と上記第2導体層と上記第2外部接続端子とを接続し、上記第1貫通孔内に位置し、第1導体層と絶縁する第2接続配線と、からなり、上記第1貫通孔および第2貫通孔は、それぞれ第1導体層および第2導体層のうち、上記投影密集領域内に集中的に形成され、前記接続端子は、第3接続端子を含み、前記外部接続端子は、第3接続端子を含み、前記第1導体層に形成された第3貫通孔と、前記第2導体層に形成された第4貫通孔と、上記第3貫通孔内および第4貫通孔内に位置し、第1導体層と第2導体層のいずれとも絶縁されつつ、上記第3接続端子と上記第3外部接続端子とを接続し、信号伝達用に用いられる第3接続配線と、を備え、上記第3貫通孔および第4貫通孔は、それぞれ第1導体層および第2導体層のうち、上記密集領域を厚さ方向に投影した投影密集領域の外側の周縁領域内に集中的に形成されており、第3貫通孔同士の間隔および第4貫通孔同士の間隔は、いずれも第1貫通孔同士の間隔および第2貫通孔同士の間隔よりも大きいことを特徴とする配線基板。

IPC (1件)：

H01L 23/12

FI (1件)：

H01L 23/12 N

引用特許：

審査官引用 (1件)

• セラミック多層配線基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-199932   出願人：日本特殊陶業株式会社