特許
J-GLOBAL ID:201103093317965186
パターン形成方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (18件):
蔵田 昌俊
, 河野 哲
, 中村 誠
, 福原 淑弘
, 峰 隆司
, 白根 俊郎
, 村松 貞男
, 野河 信久
, 幸長 保次郎
, 河野 直樹
, 砂川 克
, 勝村 紘
, 佐藤 立志
, 岡田 貴志
, 堀内 美保子
, 竹内 将訓
, 市原 卓三
, 山下 元
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-049938
公開番号(公開出願番号):特開2011-186089
出願日: 2010年03月05日
公開日(公表日): 2011年09月22日
要約:
【課題】パターン形状とラフネス特性との双方に優れたパターン形成方法を提供する。【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、下記一般式(1)により表される繰り返し単位を含み、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成することと、前記膜を露光することと、前記露光された膜を、濃度が2.38質量%未満であるテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像することとを含んでいる。【化1】【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)により表される繰り返し単位を含み、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成することと、
前記膜を露光することと、
前記露光された膜を、濃度が2.38質量%未満であるテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像することと
を含んだパターン形成方法。
IPC (5件):
G03F 7/039
, H01L 21/027
, G03F 7/38
, C08F 20/26
, G03F 7/004
FI (5件):
G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
, G03F7/38 501
, C08F20/26
, G03F7/004 501
Fターム (76件):
2H096DA10
, 2H096GA09
, 2H096GA10
, 2H096GA11
, 2H125AF16P
, 2H125AF17P
, 2H125AF18P
, 2H125AF19P
, 2H125AF20P
, 2H125AF21P
, 2H125AF22P
, 2H125AF35P
, 2H125AF36P
, 2H125AF37P
, 2H125AF38P
, 2H125AF39P
, 2H125AF45P
, 2H125AF53P
, 2H125AF70P
, 2H125AH14
, 2H125AH15
, 2H125AH16
, 2H125AH17
, 2H125AH19
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ63X
, 2H125AJ64X
, 2H125AJ65X
, 2H125AJ66X
, 2H125AJ68X
, 2H125AJ69X
, 2H125AM12P
, 2H125AM22P
, 2H125AM86P
, 2H125AM99P
, 2H125AN08P
, 2H125AN38P
, 2H125AN39P
, 2H125AN42P
, 2H125AN54P
, 2H125AN57P
, 2H125AN63P
, 2H125AN65P
, 2H125AN86P
, 2H125BA01P
, 2H125BA02P
, 2H125BA26P
, 2H125BA32P
, 2H125BA33P
, 2H125BA34P
, 2H125CA12
, 2H125CB09
, 2H125CC03
, 2H125CC15
, 2H125FA03
, 4J100AJ02S
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AL08S
, 4J100BA03Q
, 4J100BA03S
, 4J100BA11P
, 4J100BA15P
, 4J100BA40P
, 4J100BB18S
, 4J100BC03R
, 4J100BC04R
, 4J100BC04S
, 4J100BC08S
, 4J100BC09Q
, 4J100BC53P
, 4J100BC58P
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100JA38
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