窒化物半導体結晶およびその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-182306
公開番号（公開出願番号）：特開2011-063504
出願日： 2010年08月17日
公開日（公表日）： 2011年03月31日
要約：

【課題】表面のオフ角のばらつきが小さい大面積の窒化物半導体結晶の製造方法を提供する。【解決手段】シード基板上に半導体層を成長させて窒化物半導体結晶を得る窒化物半導体結晶製造方法において、前記シード基板は同一材料の複数のシード基板を含み、前記複数のシード基板のうち少なくとも1つは他のシード基板とオフ角が異なり、前記複数のシード基板上に単一の半導体層を成長させたときに、前記単一の半導体層のオフ角分布が前記複数のシード基板のオフ角分布よりも少なくなるように、半導体結晶製造装置内に前記複数のシード基板を配置して、前記単一の半導体層を成長させることを特徴とする窒化物半導体結晶製造方法。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

シード基板上に半導体層を成長させて窒化物半導体結晶を得る窒化物半導体結晶製造方法において、前記シード基板は同一材料の複数のシード基板を含み、前記複数のシード基板のうち少なくとも1つは他のシード基板とオフ角が異なり、前記複数のシード基板上に単一の半導体層を成長させたときに、前記単一の半導体層のオフ角分布が前記複数のシード基板のオフ角分布よりも少なくなるように、前記複数のシード基板を配置して、前記単一の半導体層を成長させることを特徴とする窒化物半導体結晶製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 , C30B 25/18 , C23C 16/34 , H01L 21/205

FI (4件)：

C30B29/38 D , C30B25/18 , C23C16/34 , H01L21/205

Fターム (45件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB02 , 4G077BE15 , 4G077DA03 , 4G077DA05 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077ED04 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077TB03 , 4G077TB05 , 4G077TK01 , 4G077TK04 , 4G077TK06 , 4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030CA01 , 4K030CA04 , 4K030CA17 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030KA02 , 4K030KA23 , 4K030LA14 , 5F045AA01 , 5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AB14 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AF04 , 5F045AF13 , 5F045BB11 , 5F045CA10 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045DA69

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