特許

J-GLOBAL ID：201103093715621250

フォトレジスト剥離用化合物

発明者： エックス.カス シャン
出願人/特許権者： イー.ケー.シー.テクノロジー.インコーポレーテッド
代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-532007
公開番号（公開出願番号）：特表2011-502281
出願日： 2008年09月29日
公開日（公表日）： 2011年01月20日
要約：

基板から望ましくない物質を除去するための組成物であって、ヒドロキシルアミンまたはヒドロキシルアミン誘導体、第4級アンモニウム化合物、および少なくとも1つの極性有機溶媒を含む、組成物。この組成物は、ウェハレベルパッケージングの適用およびはんだバンプ形成の適用からフォトレジストを除去することができる。

請求項（抜粋）：

基板から望ましくない物質を除去するための組成物であって、ヒドロキシルアミンまたはヒドロキシルアミン誘導体、第4級アンモニウム化合物、および少なくとも1つの極性有機溶媒を含み、 前記第4級アンモニウム化合物は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)、ベンジルテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(BTMAH)、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド(TBAH)、コリンヒドロキシド、およびトリス(2-ヒドロキシエチル)メチルアンモニウムヒドロキシド(THEMAH)、第4級アンモニウムヒドロキシド、ならびにそれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする組成物。

IPC (3件)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304

FI (4件)：

G03F7/42 ,  H01L21/30 572B ,  H01L21/304 647A ,  H01L21/304 647B

Fターム (30件)：

2H096AA25 ,  2H096LA03 ,  5F046MA02 ,  5F157AA28 ,  5F157AA29 ,  5F157AA32 ,  5F157AA34 ,  5F157AA35 ,  5F157AA36 ,  5F157AA42 ,  5F157AA64 ,  5F157AA91 ,  5F157AC01 ,  5F157BB01 ,  5F157BC07 ,  5F157BC12 ,  5F157BC55 ,  5F157BD09 ,  5F157BF01 ,  5F157BF38 ,  5F157BF39 ,  5F157CB02 ,  5F157CB03 ,  5F157DA01 ,  5F157DA11 ,  5F157DB03 ,  5F157DB41 ,  5F157DB46 ,  5F157DB57 ,  5F157DC82