特許

J-GLOBAL ID：201103093800861340

半導体装置およびその製造方法

発明者： 市村 秀雄
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (1件)： 福井 豊明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-010255
公開番号（公開出願番号）：特開2011-151137
出願日： 2010年01月20日
公開日（公表日）： 2011年08月04日
要約：

【課題】複数の強誘電体キャパシタによる凹凸形状の影響を受けてキャパシタを被覆する水素バリア膜の水素拡散阻止能力が劣化すること、および強誘電体キャパシタの分極特性がばらつくことを防止する半導体記憶装置とその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上に形成された強誘電体キャパシタ19を被覆する層間絶縁膜20として、ペロブスカイト型金属酸化物絶縁体、ビスマス層状ペロブスカイト型酸化物強誘電体などのような金属酸化物を含む絶縁体からなる膜を用いる。このような膜はスピンコート法で形成できるので容易にその表面が平坦な膜が得られ、従ってその上に形成される水素バリア膜22の膜厚も一様となって水素拡散阻止能力が維持できる。また膜20は酸素が透過しやすい性質を有するので、酸素熱処理により強誘電体キャパシタ19における分極特性のばらつきも十分防止できる。【選択図】図11

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板上に形成された第1の層間絶縁膜と、 前記第1の層間絶縁膜上に形成された第1の水素バリア膜と、 前記第1の水素バリア膜上に形成され、下部電極、強誘電体容量絶縁膜および上部電極からなるキャパシタと、 前記キャパシタを被覆する第2の層間絶縁膜と、 前記第2の層間絶縁膜を被覆する第2の水素バリア膜とを備え、 前記第2の層間絶縁膜は、その上面が平坦であり、金属酸化物を含む絶縁体からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/10 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (8件)：

H01L27/10 444B ,  H01L27/10 461 ,  H01L27/10 481 ,  H01L21/316 X ,  H01L21/316 B ,  H01L21/316 P ,  H01L21/316 M ,  H01L21/318 B

Fターム (58件)：

5F058BA09 ,  5F058BA11 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BE04 ,  5F058BE10 ,  5F058BF02 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BH12 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR01 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083KA01 ,  5F083KA19 ,  5F083KA20 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA17 ,  5F083MA18 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR06 ,  5F083PR07 ,  5F083PR18 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40 ,  5F083PR42 ,  5F083PR45 ,  5F083PR52 ,  5F083PR55 ,  5F083ZA01 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA15