特許

J-GLOBAL ID：201103093896020627

低温犠牲酸化物形成法

発明者： アレクサンダー ミヒャエリス ,  シュテファン クーデルカ
出願人/特許権者： インフィニオン テクノロジーズ ノース アメリカ コーポレイション
代理人 (3件)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-502155
特許番号：特許第4625216号
出願日： 2000年05月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体デバイスを製造するために犠牲酸化物をデポジットする方法において、 pドーピングされたシリコン領域に犠牲酸化物をデポジットするため、半導体ウェーハにpドーピングされたシリコン領域を準備し、 ウェーハを電気化学セルに配置して、露出したpドーピングされたシリコン領域を含む、ウェーハの前面が酸化チャンバに曝され、かつウェーハの背面が、ウェーハに電位を移動して電位差を生じさせる第2溶液に曝されるようにし、これにより、電解質を含有する溶液と、前記pドーピングされたシリコン領域とが相互に反応して、犠牲酸化物がpドーピングされたシリコン領域に形成されるようにし、ここで当該相互の反応はウェーハと溶液との間に電位差が供給される場合に行われ、 犠牲酸化物層を使用して前記の表面の部分をシールドすることを特徴とする、 半導体デバイスを製造するために犠牲酸化物をデポジットする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 21/316 T ,  H01L 27/10 625 Z

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 力トランスデューサを有する装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-141794   出願人：エスエスアイテクノロジーズインコーポレイテッド

審査官引用 (1件)

• 力トランスデューサを有する装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-141794   出願人：エスエスアイテクノロジーズインコーポレイテッド

引用文献：

出願人引用 (1件)

• Modified Constant-Current Anodization

審査官引用 (1件)

• Modified Constant-Current Anodization