電界効果トランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (10件)：前田弘 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 関啓 , 杉浦靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-137936
公開番号（公開出願番号）：特開2010-287594
出願日： 2009年06月09日
公開日（公表日）： 2010年12月24日
要約：

【課題】ノーマリオフ型動作を実現しながら、寄生抵抗が小さい電界効果トランジスタを得られるようにする。【解決手段】電界効果トランジスタは、基板1の上に形成された、GaNからなるバッファ層2と、該バッファ層2の上に形成された、InxAlyGa1-x-yN(但し、0≦x≦1、0≦y≦1、0<x+y≦1)からなる電子供給層3と、該電子供給層3の上に形成され、電子供給層3とは異なる組成を有し且つ高濃度のn型不純物が添加された、InsAltGa1-s-tN(但し、0≦s≦1、0≦t≦1、0≦s+t≦1)からなるキャップ層4とを有している。キャップ層4にはリセス4aが形成されており、キャップ層4におけるリセス4aの両側方の領域には、ソース電極5及びドレイン電極7が形成され、キャップ層4のリセス4aには、ゲート電極6が絶縁膜8を介在させて形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の上に形成された、GaNからなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に形成された、InxAlyGa1-x-yN(但し、0≦x≦1、0≦y≦1、0<x+y≦1)からなる第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上に形成され、前記第2の半導体層とは異なる組成を有し且つ高濃度のn型不純物が添加された、InsAltGa1-s-tN(但し、0≦s≦1、0≦t≦1、0≦s+t≦1)からなる第3の半導体層とを備え、前記第3の半導体層には開口部が形成されており、前記第3の半導体層における前記開口部の両側方の領域には、ソース電極及びドレイン電極が形成され、前記第3の半導体層の前記開口部には、ゲート電極が絶縁膜を介在させて形成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (17件)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GL17 , 5F102GM04 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GR09 , 5F102GS01 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F102HC15

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