特許
J-GLOBAL ID：201103093928377883
昇圧回路及びこれを用いた半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-119273
公開番号（公開出願番号）：特開2000-312471
特許番号：特許第3157812号
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 設定された周波数の昇圧クロックの供給を受け電源電圧より高い予め定めた電圧の昇圧電圧を発生し出力する昇圧手段を有する昇圧回路において、クロック選択信号の制御により周波数を昇順に高くなるように設定した第1〜第n(2以上の整数)のクロックのうちの1つを前記昇圧クロックの候補クロックとして選択するクロック選択手段と、外部データ信号の値により負荷状態に対応した適切なセットアップ時間及び低消費電力が得られるよう設定される前記クロック選択信号を発生するクロック選択信号発生手段と、前記昇圧電圧を一定の分圧比で分圧した分圧電圧を基準電圧と比較し前記分圧電圧の前記基準電圧に対する高低対応の第1,第2の値の一方を比較信号として出力する昇圧電圧比較手段と、前記比較信号が第1の値のときに第1のスイッチ信号を発生し、前記比較信号が第2の値のときに第2のスイッチ信号を発生するスイッチ制御手段と、前記第1のスイッチ信号の供給を受け前記候補クロックを前記昇圧クロックとして選択して前記昇圧手段に供給する第1のスイッチ手段と、前記第2のスイッチ信号の供給を受け最高周波数の前記第nのクロックを前記昇圧クロックとして選択して前記昇圧手段に供給する第2のスイッチ手段とを備えることを特徴とする昇圧回路。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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