特許

J-GLOBAL ID：201103093961237604

酸化物超伝導薄膜構造体

発明者： 名取 栄治
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-034148
公開番号（公開出願番号）：特開平2-213464
特許番号：特許第2913653号
出願日： 1989年02月14日
公開日（公表日）： 1990年08月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板に単結晶シリコンウエハを用い酸化物超伝導薄膜を備えた酸化物超伝導薄膜構造体において、該単結晶シリコンウエハ基板と該酸化物超伝導薄膜との中間部に、少なくともZrO2、Al2O3、MgO、SrO及びCaOのうちいずれかの酸化物層と、組成式AxAlyOz(ここでAは希土類元素を示し、0.9≦x≦1.1、0.85≦y≦1.15、0<zである)の酸化物層の1層以上とを有する酸化物超伝導薄膜構造体。

IPC (5件)：

C23C 14/08 ZAA ,  C04B 41/89 ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 12/06 ,  H01L 39/02

FI (5件)：

C23C 14/08 ZAA L ,  C04B 41/89 A ,  C30B 29/22 501 K ,  H01B 12/06 ,  H01L 39/02 B