半導体加速度センサ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外1名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-128639
公開番号（公開出願番号）：特開平2-309259
出願日： 1989年05月24日
公開日（公表日）： 1990年12月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板に、当該半導体基板の表面からのエッチング加工を用いて形成される半導体加速度センサであって、前記半導体基板の表面から適宜の深さ位置に当該表面に垂直方向に、且つ当該表面に向かって形成された片持梁と、該片持梁の先端部に形成され当該表面に対して平行方向の被検出加速度が加わる質量部と、該質量部の側方部に所要間隔をおいて形成されストッパとなる側壁部と、当該質量部及び側壁部の対向両面部に形成され被検出加速度に応じた前記質量部の変位を容量変化として検出する検出部とを有することを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (1件)：