特許
J-GLOBAL ID:201103094178343708

半導体昇圧回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-013465
特許番号:特許第3012634号
出願日: 1999年01月21日
請求項(抜粋):
【請求項1】 所定発振周波数の発振信号を出力する発振器回路と、この発振器回路の出力により制御出力を負荷消費回路に出力する昇圧制御部と、この昇圧制御部の出力電圧が所定値にあることを判定して前記発振器回路の出力を制御する電圧判定回路とを有する半導体昇圧回路において、前記昇圧制御部が、前記発振器回路の出力を所定数のインバータからなる論理部により増幅し、この論理部の出力を第1のポンピング容量を介して昇圧し第1の出力トランジスタに供給し第1の制御電圧として前記負荷消費回路に出力する昇圧部と、前記発振器回路に出力を所定数のインバータからなる論理部により増幅し、この論理部の出力を第2のポンピング容量を介して昇圧し第2の出力トランジスタに供給し第2の制御電圧として出力する電圧変換用昇圧部と、この電圧変換用昇圧部の昇圧した第2の制御電圧を駆動電源として前記発振器回路の出力をその駆動電源電位レベルに変換しこの変換出力を前記第1,第2の出力トランジスタのゲートにそれぞれ接続する電圧変換回路とを備えることを特徴とする半導体昇圧回路。
IPC (4件):
H02M 3/07 ,  G11C 11/407 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (3件):
H02M 3/07 ,  G11C 11/34 354 F ,  H01L 27/04 G

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