特許
J-GLOBAL ID：201103094522885272
表裏導通基板及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
横山 淳一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-226269
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043468
特許番号：特許第4023076号
出願日： 2000年07月27日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】シリコンから構成された複数の柱体と、
前記複数の柱体の周囲を覆う、少なくとも第1の面と第2の面とを導通させる導電部分と、
該複数の柱体を支持する絶縁性材料と、
から構成されることを特徴とする表裏導通基板。
IPC (3件)：
H01L 23/15 ( 200 6.01)
, H01L 23/12 ( 200 6.01)
, H05K 3/46 ( 200 6.01)
H01L 23/14 C
, H01L 23/12 D
, H01L 23/12 N
, H01L 23/12 301 Z
, H01L 23/12 501 B
, H05K 3/46 N
