特許
J-GLOBAL ID:201103094659488831
半導体光装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
川上 光治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-126663
公開番号(公開出願番号):特開2011-253930
出願日: 2010年06月02日
公開日(公表日): 2011年12月15日
要約:
【課題】半導体光装置において温度が変化しても出力光の変動を抑制する。【解決手段】半導体光装置1は、半導体光増幅器2と光波長選択素子3とを有し、光波長選択素子3は第1の光導波路21と、第1の光導波路21の結合導波路32に光学的に結合されるリング共振器22を有する。さらに、リング共振器22と光学的に結合される結合導波路41を含む第2の光導波路23が設けられており、第2の光導波路23には、波長選択反射鏡24が形成されている。波長選択反射鏡24は、垂直回折格子25からなり、リング共振器22で選択された共振モードのピークのうち、1つの共振モードのピークの波長を有する光を反射する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
光を増幅する第1の光素子と、
前記第1の光素子に接続される第2の光素子と、
を有し、
前記第2の光素子は、
前記第1の光素子の一端に光学的に結合される第1の光導波路と、
前記第1の光導波路に光学的に結合されるリング共振器と、
前記リング共振器に光学的に結合される第2の光導波路と、
前記第2の光導波路に導かれた光が入射する波長選択反射鏡と、
前記第1の光素子の他端に設けられ、前記波長選択反射鏡と共振器を形成する反射膜と、
を含む半導体光装置。
IPC (4件):
H01S 5/10
, H01S 5/50
, G02B 6/122
, G02B 6/42
FI (4件):
H01S5/10
, H01S5/50 610
, G02B6/12 B
, G02B6/42
Fターム (50件):
2H137AB11
, 2H137AC01
, 2H137BA34
, 2H137BA41
, 2H137BA45
, 2H137BA52
, 2H137BA53
, 2H137BB02
, 2H137BB24
, 2H137BC25
, 2H137BC76
, 2H137DB09
, 2H137EA01
, 2H137EA04
, 2H137HA06
, 2H137HA13
, 2H147AB02
, 2H147AB03
, 2H147AB16
, 2H147BD03
, 2H147BD10
, 2H147BE01
, 2H147BE15
, 2H147CA11
, 2H147CA13
, 2H147CA14
, 2H147CA30
, 2H147EA12A
, 2H147EA12B
, 2H147EA12C
, 2H147EA13A
, 2H147EA13C
, 2H147EA14B
, 2H147FA11
, 2H147FC03
, 2H147FC08
, 2H147GA01
, 2H147GA10
, 5F173AB34
, 5F173AB49
, 5F173AB66
, 5F173AB79
, 5F173AH14
, 5F173AL04
, 5F173AR03
, 5F173MA02
, 5F173MF02
, 5F173MF13
, 5F173MF25
, 5F173MF40
引用特許:
審査官引用 (4件)
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半導体発光素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-223082
出願人:住友電気工業株式会社
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特開昭64-046995
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半導体レーザモジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-067472
出願人:住友電気工業株式会社
-
光半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-183810
出願人:富士通株式会社
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