特許
J-GLOBAL ID：201103094693549394
薄膜EL素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-010732
公開番号（公開出願番号）：特開平2-189891
出願日： 1989年01月18日
公開日（公表日）： 1990年07月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】透光性基板に透明電極,下部絶縁層,発光層,上部絶縁層および背面電極を順次積層した薄膜EL素子において、上記絶縁層の少くとも一部がプラズマCVD法により形成したSixNyOz:H膜であり、上記SixNyOz:H膜の膜中の水素量が2×1022atoms/cm3以下であることを特徴とする薄膜EL素子。
IPC (2件)：
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