特許
J-GLOBAL ID：201103094849089259
走査型静電容量顕微鏡による測定方法および測定装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (7件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 坪井 淳
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-167883
公開番号（公開出願番号）：特開2001-351957
特許番号：特許第3766261号
出願日： 2000年06月05日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン基板の表層部にウエル領域および拡散領域が形成された半導体装置を加工し、拡散領域およびウエル領域およびシリコン基板の上面を露呈させ、その露呈表面に絶縁膜を形成した試料を作成する第1のステップと、
100nm 以上の一定間隔を有する導電性の2本の探針を前記試料の絶縁膜に同一方向からコンタクトさせた状態で、前記2本の探針間に一定電圧の直流バイアスを印加するとともに交流電圧を印加した時の電圧振幅の変化に対する前記2本の探針間の容量変化を、前記2本の探針の間隔を保持しつつそのコンタクト位置を変化させる毎に検出し、この検出結果に基づいて試料表面部の拡散領域におけるキャリア濃度の面内ばらつきを観察する第2のステップ
とを具備することを特徴とする走査型静電容量顕微鏡による測定方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66 ( 200 6.01)
, G01N 1/28 ( 200 6.01)
, G01N 13/20 ( 200 6.01)
, G01N 27/22 ( 200 6.01)
H01L 21/66 N
, G01N 1/28 F
, G01N 13/20 B
, G01N 27/22 Z
